內(nèi)存條可以通過查看內(nèi)存顆粒的型號(hào)來確認(rèn)其容量大小。
    下面就以幾個(gè)大廠的內(nèi)存顆粒編碼規(guī)則為例來說明內(nèi)存容量的辨識(shí)方法。

三星內(nèi)存顆粒

    目前使用三星的內(nèi)存顆粒來生產(chǎn)內(nèi)存條的廠家非常多，在市場(chǎng)上有很高的占有率。由于其產(chǎn)品線龐大，所以三星內(nèi)存顆粒的命名規(guī)則非常復(fù)雜。三星內(nèi)存顆粒的型號(hào)采用一個(gè)16位數(shù)字編碼命名的。這其中用戶更關(guān)心的是內(nèi)存容量和工作速率的識(shí)別，所以我們重點(diǎn)介紹這兩部分的含義。
編碼規(guī)則：K 4 X X X X X X X X - X X X X X
    主要含義：
    第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。
    第2位——芯片類型4，代表DRAM。
    第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
    第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會(huì)使用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
    第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個(gè)數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。
    第11位——連線“-”。
    第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
    知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義， 拿到一個(gè)內(nèi)存條后就非常容易計(jì)算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號(hào)第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣 我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位） × 16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。
    注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個(gè)字節(jié)為8位則計(jì)算時(shí)除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計(jì)算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC 內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗(yàn)碼。通過校驗(yàn)碼，可以檢測(cè)出內(nèi)存數(shù) 據(jù)中的兩位錯(cuò)誤，糾正一位錯(cuò)誤。所以在實(shí)際計(jì)算容量的過程中，不計(jì)算校驗(yàn)位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購(gòu)買時(shí)也可以據(jù)此判 定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。

Micron內(nèi)存顆粒

    Micron（美光）內(nèi)存顆粒的容量辨識(shí)相對(duì)于三星來說簡(jiǎn)單許多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75這個(gè)編號(hào)來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。
含義：
    MT——Micron的廠商名稱。
    48——內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
    LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
    16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計(jì)算方法是：16M（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。
    A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。
    TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。 
    -75——內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
    實(shí)例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號(hào)為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個(gè)Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。
    其容量計(jì)算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節(jié)）。

西門子內(nèi)存顆粒

    目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號(hào)中詳細(xì)列 出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少，辨別也是最容易的。

    HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits； HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
    Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線，然后標(biāo)上工作速率。
    -7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz；
    -8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。
    例如：
    1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。
    1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位） × 8 片/8=128MB（兆字節(jié)）。

Kingmax內(nèi)存顆粒

    Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量： 64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來。

    容量備注：
    KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；
    KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；
    KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；
    KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；
    KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。
    Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號(hào)后用短線符號(hào)隔開標(biāo)識(shí)內(nèi)存的工作速率：
    -7A——PC133 /CL=2；
    -7——PC133 /CL=3；
    -8A——PC100/ CL=2；
    -8——PC100 /CL=3。
    例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造，其容量計(jì)算為： 64Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=128MB（兆字節(jié)）。

HYUNDAI（現(xiàn)代）

    現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號(hào)格式為：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品；5a表示芯片類型(57=SDRAM，5D =DDRSDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬（40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成（1、2、 3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表內(nèi)核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封 裝形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100CL2或3〕，10s= 10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。 
    例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefresh cycles/64ms，8是8位輸出，10是2個(gè)Bank，C是第4個(gè)版本的內(nèi)核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100

LGS內(nèi)存顆粒:

   LGs早已被HY現(xiàn)代納入麾下，但還是有必要單獨(dú)介紹下它。LG現(xiàn)有的內(nèi)存條編號(hào)后綴為7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100規(guī)格的，速度極慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J 和7K工作模式的速度參數(shù)不同，LGs 7J編號(hào)在1073222，LGs 7K編號(hào)是1072222，兩者的主要區(qū)別是第三個(gè)反應(yīng)速度的參數(shù)上。而8才是真正的8ns PC 100內(nèi)存，但國(guó)內(nèi)沒有出現(xiàn)�，F(xiàn)在市面上還有很多10K的LGs內(nèi)存，速度比7J和7K差很遠(yuǎn)，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的 來賣。而7J和7K經(jīng)過測(cè)試比較，7K比7J的更優(yōu)秀，上133MHz時(shí)7K比7J更穩(wěn)定，但7K的市面上不多見。

　　LGS的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)為以下格式：

　　GM72V XX XX X 1 X X T XX

　　GM代表為L(zhǎng)GS的產(chǎn)品。

　　72代表SDRAM。

　　第1、2個(gè)X代表容量，類似現(xiàn)代，16為16Mbits，66為64Mbits。

　　第3、4個(gè)X表示數(shù)據(jù)位寬，一般為4、8、16等，不補(bǔ)0。

　　第5個(gè)X代表Bank，2對(duì)應(yīng)2個(gè)Bank，4對(duì)應(yīng)4個(gè)Bank，和現(xiàn)代的不一樣，屬于直接對(duì)應(yīng)。

　　第6個(gè)X表示是第幾人版本的內(nèi)核，現(xiàn)在至少已經(jīng)排到"E"了。

　　第7個(gè)X如果是字母"L"，就是低功耗，空白則為普通。

　　"T"為常見的TSOPⅡ封裝，現(xiàn)在還有一種BLP封裝出現(xiàn)，為"I"。

　　最后的XX自然是代表速度：

　　7.5：7.5ns［133MHz］

　　8：8ns［125MHz］

　　7K：10ns［PC-100 CL2或3］

　　7J：10ns［100MHz］

　　10K：10ns［100MHz］

　　12：12ns［83MHz］

　　15：15ns［66MHz］

　　高士達(dá)（LGS）SDRAM內(nèi)存芯片的識(shí)別
　　一、高士達(dá)SDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)識(shí)別
　　GM 72 X X XX X X X X X XXX
　　1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
　　
    現(xiàn)代SDRAM的內(nèi)存芯片上的編號(hào)如上所示，其各位編號(hào)的意義如
下：
　　1：PREFIX OF LGS（LGS產(chǎn)品的前綴）
　　MEMORY IC的前綴
　　2：FAMILY（內(nèi)存種類）
　　72:SDRAM
　　3：PROCESS＆POWER SUPPLY(工藝和電壓)
　　V:CMOS(3.3V)
　　4：DENSITY＆REFRESH（內(nèi)存密度和刷新）
　　16:16M,4K Ref
　　17:16M,2K Ref
　　28:128M,4K Ref
　　55:256M,16K Ref
　　56:256M,8K Ref
　　57:256M,4K Ref
　　64:64M,16K Ref
　　65:64M,8K Ref
　　66:64M,4K Ref
　　5：DATA WIDTH（數(shù)據(jù)帶寬）
　　4:×4
　　8:×8
　　16:×16
　　32:×32
　　6：BANK（芯片組成）
　　1:1 BANK
　　2:2 BANK
　　4:4 BANK
　　8:8 BANK
　　7：I/O INTERFACE（I/O界面）
　　1:LVTTL
　　8：REVISION NO.（修正版本）
　　BLANK:ORIGINAL
　　A:FIRST
　　B:SECOND
　　C:THIRD
　　D:FOURTH
　　E:FIFTH
　　F:SIXTH
　　9：POWER（功率）
　　Blank:STANDARD
　　L:LOW－POWER
　　10：PACKAGE（IC封裝）
　　T:TSOP(NORMAL)
　　R:TSOP(REVERSE)
　　I:BLP
　　K:TSOL
　　S:STACK
　　11：SPEED（速度）
　　6:150MHz
　　7:143MHz
　　74:135MHz
　　75:133MHz
　　8:125MHz
　　7K:(PC100,2－2－2)＊
　　7J:(PC100,3－2－2)＊＊
　　10K:(PC66)＊＊＊
　　10J:(PC66)＊＊＊＊
　　12:83MHz
　　15:66MHz
　　Note（注釋）:
　　＊7K means to meet tCK=10ns,C.L=2,tAC=6ns。
　�。�＊7J means to meet tCK=10ns,C.L=3,tAC=6ns。
　　＊＊＊10K means to meet tCK=15ns,C.L=2,tAC=9ns。
　�。�＊＊＊10J means to meet tCK=15ns,C.L=3,tAC=9.5ns。